BCV64B Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BCV64B

Código: C96

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 220

Encapsulados: SOT143B

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BCV64B datasheet

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BCV64B PNP general-purpose double transistor Rev. 4 2 August 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP general-purpose double transistor in a small SOT143B Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. Table 1. Product overview Type number Package PNP complement NXP JEITA BCV64B SOT143B - BCV63B 1.2 Features and benefits Low current (max. 100 mA)

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DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D071 BCV64B PNP general purpose double transistor 1999 May 21 Product specification Supersedes data of 1997 Mar 10 Philips Semiconductors Product specification PNP general purpose double transistor BCV64B FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 30 and 6 V). 1 collector TR2 and base TR1 2 collector

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BCV64B PNP general-purpose double transistor Rev. 4 2 August 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP general-purpose double transistor in a small SOT143B Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. Table 1. Product overview Type number Package PNP complement Nexperia JEITA BCV64B SOT143B - BCV63B 1.2 Features and benefits Low current (max. 100

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