BFG11 Todos los transistores

 

BFG11 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BFG11
   Código: N72
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 8 V
   Tensión emisor-base (Veb): 2.5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: SOT143
 

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BFG11 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  philips
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BFG11

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFG11; BFG11/XNPN 2 GHz RF power transistor1995 Apr 07Product specificationSupersedes data of November 1992File under Discrete Semiconductors, SC14Philips SemiconductorsPhilips Semiconductors Product specificationNPN 2 GHz RF power transistor BFG11; BFG11/XFEATURES DESCRIPTION High power gain NPN silicon planar epitaxial transistors e

 0.1. Size:79K  philips
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BFG11

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFG11W/XNPN 2 GHz power transistor1996 Jun 04Product specificationSupersedes data of September 1995File under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationNPN 2 GHz power transistor BFG11W/XFEATURES PINNING - SOT343 High power gainPIN DESCRIPTION High efficiency1 collector Small size discrete po

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History: 2SA904A

 

 
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