2DB1386Q Todos los transistores

 

2DB1386Q . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2DB1386Q
   Código: KP3_KP3Q
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: SOT89
 

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2DB1386Q Datasheet (PDF)

 0.1. Size:223K  diodes
 2db1386q-r.pdf pdf_icon

2DB1386Q

2DB1386Q/R PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features Epitaxial Planar Die Construction Ideally Suited for Automated Assembly Processes Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) "Green" Device (Note 2) Mechanical Data SOT89-3L Case: SOT89-3L COLLECTOR Case Material: Molded Plastic, "Gr

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History: KSC5802D | KT837K1-IM

 

 
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