ZXTN25012EFH . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ZXTN25012EFH
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

   Disipación total del dispositivo (Pc): 1.25 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A

   Transición de frecuencia (ft): 260 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 500
   Paquete / Cubierta: SOT23

ZXTN25012EFH Datasheet (PDF)

..1. Size:381K diodes
zxtn25012efh.pdf

ZXTN25012EFH12V, SOT23, NPN medium power transistorSummary BVCEO > 12VBVECX > 6VhFE > 500IC(cont) = 6A VCE(sat)

3.1. Size:482K diodes
zxtn25012efl.pdf

ZXTN25012EFL12V, SOT23, NPN low power transistorSummary BVCEO > 12VBVECO > 4.5VhFE > 500IC(cont) = 2AVCE(sat)

4.1. Size:394K diodes
zxtn25012ez.pdf

ZXTN25012EZ12V NPN high gain transistor in SOT89SummaryBVCEO > 12VBVECX > 6VhFE > 500IC(cont) = 6.5A VCE(sat)

6.1. Size:402K diodes
zxtn25015dfh.pdf

ZXTN25015DFH15V, SOT23, NPN medium power transistorSummary BVCEX > 30V BVCEO > 15VBVECO > 4.5VIC(cont) = 5AVCE(sat)