ZXTN25012EZ Todos los transistores

 

ZXTN25012EZ Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ZXTN25012EZ

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 2.4 W

Tensión colector-emisor (Vce): 12 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 6.5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 260 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 500

Encapsulados: SOT89

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ZXTN25012EZ datasheet

 ..1. Size:394K  diodes
 zxtn25012ez.pdf pdf_icon

ZXTN25012EZ

ZXTN25012EZ 12V NPN high gain transistor in SOT89 Summary BVCEO > 12V BVECX > 6V hFE > 500 IC(cont) = 6.5A VCE(sat)

 4.1. Size:381K  diodes
 zxtn25012efh.pdf pdf_icon

ZXTN25012EZ

ZXTN25012EFH 12V, SOT23, NPN medium power transistor Summary BVCEO > 12V BVECX > 6V hFE > 500 IC(cont) = 6A VCE(sat)

 4.2. Size:482K  diodes
 zxtn25012efl.pdf pdf_icon

ZXTN25012EZ

ZXTN25012EFL 12V, SOT23, NPN low power transistor Summary BVCEO > 12V BVECO > 4.5V hFE > 500 IC(cont) = 2A VCE(sat)

 6.1. Size:402K  diodes
 zxtn25015dfh.pdf pdf_icon

ZXTN25012EZ

ZXTN25015DFH 15V, SOT23, NPN medium power transistor Summary BVCEX > 30V BVCEO > 15V BVECO > 4.5V IC(cont) = 5A VCE(sat)

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