ZXTN25012EZ Todos los transistores

 

ZXTN25012EZ . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ZXTN25012EZ
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 2.4 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 6.5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 260 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 500
   Paquete / Cubierta: SOT89
     - Selección de transistores por parámetros

 

ZXTN25012EZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:394K  diodes
 zxtn25012ez.pdf pdf_icon

ZXTN25012EZ

ZXTN25012EZ12V NPN high gain transistor in SOT89SummaryBVCEO > 12VBVECX > 6VhFE > 500IC(cont) = 6.5A VCE(sat)

 4.1. Size:381K  diodes
 zxtn25012efh.pdf pdf_icon

ZXTN25012EZ

ZXTN25012EFH12V, SOT23, NPN medium power transistorSummary BVCEO > 12VBVECX > 6VhFE > 500IC(cont) = 6A VCE(sat)

 4.2. Size:482K  diodes
 zxtn25012efl.pdf pdf_icon

ZXTN25012EZ

ZXTN25012EFL12V, SOT23, NPN low power transistorSummary BVCEO > 12VBVECO > 4.5VhFE > 500IC(cont) = 2AVCE(sat)

 6.1. Size:402K  diodes
 zxtn25015dfh.pdf pdf_icon

ZXTN25012EZ

ZXTN25015DFH15V, SOT23, NPN medium power transistorSummary BVCEX > 30V BVCEO > 15VBVECO > 4.5VIC(cont) = 5AVCE(sat)

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History: KT301D | SGSIF444 | 2SD1406G | SBCX19LT1G | HSBD179 | PN4142 | BD235-16

 

 
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