2N5540 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N5540

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W

Tensión colector-base (Vcb): 325 V

Tensión colector-emisor (Vce): 300 V

Tensión emisor-base (Veb): 8 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 20 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO61

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2N5540 datasheet

 9.1. Size:56K  vishay
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2N5540

2N5545/46/47/JANTX/JANTXV Vishay Siliconix Monolithic N-Channel JFET Duals PRODUCT SUMMARY Part Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IG Max (pA) jVGS1 VGS2j Max (mV) 2N5545 0.5 to 4.5 50 1.5 50 5 2N5546 0.5 to 4.5 50 1.5 50 10 2N5547 0.5 to 4.5 50 1.5 50 15 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D Monolithic Design D Tight Differential Match

 9.2. Size:51K  crystaloncs
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2N5540

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