MCH3007 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MCH3007
Código: GM
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
Tensión emisor-base (Veb): 2 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 6000 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 60
Encapsulados: MCPH3
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MCH3007 datasheet
mch3007.pdf
MCH3007 Ordering number ENA1925 SANYO Semiconductors DATA SHEET NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor MCH3007 High-Frequency Low-Noise Amplifier Features Low-noise use NF=1.2dB typ (f=1GHz) High cut-off frequency fT=8GHz typ (VCE=5V) High gain 2 S21e =12dB typ (f=1GHz) Halogen free compliance Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings P
mch3007.pdf
Ordering number ENA1925A MCH3007 RF Transistor http //onsemi.com 12V, 30mA, fT=8GHz, NPN Single MCPH3 Features Low-noise use NF=1.2dB typ (f=1GHz) High cut-off frequency fT=8GHz typ (VCE=5V) High gain 2 S21e =12dB typ (f=1GHz) Halogen free compliance Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Collecto
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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