MCH4017. Equivalente. Reemplazo. Todos los transistores. Hoja de especificaciones. Principales características

MCH4017 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MCH4017

Código: GQ

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.45 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 12 V

Tensión emisor-base (Veb): 2 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 8000 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

Encapsulados: MCPH4

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MCH4017 datasheet

..1. Size:368K sanyo
mch4017.pdf pdf_icon

MCH4017 Ordering number ENA1912 SANYO Semiconductors DATA SHEET NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor MCH4017 High-Frequency Low-Noise Amplifier Features Low-noise use NF=1.2dB typ (f=1GHz) High cut-off frequency fT=10GHz typ (VCE=5V) High gain 2 S21e =17dB typ (f=1GHz) Halogen free compliance Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings

..2. Size:297K onsemi
mch4017.pdf pdf_icon

Ordering number ENA1912 MCH4017 RF Transistor http //onsemi.com 12V, 100mA, fT=10GHz, NPN Single MCPH4 Features Low-noise use NF=1.2dB typ (f=1GHz) High cut-off frequency fT=10GHz typ (VCE=5V) High gain 2 S21e =17dB typ (f=1GHz) Halogen free compliance Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Collec

8.1. Size:40K sanyo
mch4013.pdf pdf_icon

Ordering number ENA1268 MCH4013 SANYO Semiconductors DATA SHEET NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor UHF to X Band Low-Noise Amplifier MCH4013 and OSC Applications Features High cut-off frequency fT=22.5GHz typ (VCE=3V). Low operating voltage. High gain S21e 2=16dB typ (f=2GHz). Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Condition

8.2. Size:368K sanyo
mch4016.pdf pdf_icon

MCH4016 Ordering number ENA1922 SANYO Semiconductors DATA SHEET NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor MCH4016 High-Frequency Low-Noise Amplifier Features Low-noise use NF=1.2dB typ (f=1GHz) High cut-off frequency fT=10GHz typ (VCE=5V) High gain 2 S21e =18dB typ (f=1GHz) Halogen free compliance Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings