103NU70 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 103NU70
Material: Ge
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.05 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 2 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 90 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 0.5 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Paquete / Cubierta: TO1
- Selección de transistores por parámetros
103NU70 Datasheet (PDF)
101nu70-71 102nu70-71 103nu70-71 104nu70-71 105nu70-71 106nu70-71 107nu70-71 gc507 gc508 gc509 gc515 gc516 gc517 gc518 gc519 gf505 gf506 gf507 af106 af109r af239 af139.pdf

efc2k103nuz.pdf

MOSFET - Power for 1-CellLithium-ion BatteryProtectionEFC2K103NUZ12 V, 1.8 mW, 40 A, Dual N-Channelwww.onsemi.comThis power MOSFET features a low on-state resistance. Thisdevice is suitable for applications such as power switches of portableVSSS RSS(ON) MAX IS MAXmachines. Best suited for 1-cell lithium-ion battery applications.12 V 1.8 mW @ 4.5 V 40 AFeatures1.9 mW @ 3.
Otros transistores... 100DA025D , 100T2 , 101NU70 , 102NU70 , 103NU70 , 104NU70 , 104T2 , 105NU70 , TIP41 , 1074GE , 107NU70 , 108T2 , 109T2 , 111T2 , 111T2-18 , 121-1003 , 121-1019 .
History: 2SC5008 | 2SD732K | 25DB070D | 2C1893 | 2SD764 | 2SC491R
History: 2SC5008 | 2SD732K | 25DB070D | 2C1893 | 2SD764 | 2SC491R



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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