PCP1203 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PCP1203

Código: QJ

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 500 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 8 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 200

Encapsulados: PCP

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PCP1203 datasheet

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PCP1203

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PCP1203

Ordering number ENA1348A PCP1203 Bipolar Transistor http //onsemi.com ( ) 30V, 1.5A, Low VCE sat , NPN Single PCP Applications DC / DC converters, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, Inverters, IGBT gate drivers Features Adoption of FBET, MBIT processes Large current capacity Low collector-to-emitter saturation voltage High speed switching High a

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PCP1203

PCP1208 Ordering number ENA1836 SANYO Semiconductors DATA SHEET NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor PCP1208 LED Back Light Features VCEO=200V, IC=0.7A High allowable power dissipation Halogen free compliance Low collector-to-emitter saturation voltage VCE(sat)=0.115V(typ.)@IC=0.35A High-speed switching tf=70ns(typ.)@IC=0.3A Specifications at Ta=25 C

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PCP1203

Ordering number ENA1836B PCP1208 Bipolar Transistor http //onsemi.com 200V, 0.7A Low VCE(sat) NPN Single PCP Features VCEO=200V, IC=0.7A High allowable power dissipation Halogen free compliance Low collector-to-emitter saturation voltage VCE(sat)=0.115V(typ.)@IC=0.35A High-speed switching tf=70ns(typ.)@IC=0.3A Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25

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