BFS505 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BFS505
Código: N0
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
Tensión emisor-base (Veb): 2.5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.018 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 9000 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 0.4 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
Paquete / Cubierta: SC70
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BFS505 Datasheet (PDF)
bfs505 cnv.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBFS505NPN 9 GHz wideband transistorProduct specification September 1995NXP Semiconductors Product specificationNPN 9 GHz wideband transistor BFS505FEATURES PINNING Low current consumptionPIN DESCRIPTION3handbook, 2 columns High power gainCode: N0 Low noise figure1 base High transition frequency2 emitter Gold
bfs505.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFS505NPN 9 GHz wideband transistorSeptember 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationNPN 9 GHz wideband transistor BFS505FEATURES PINNING Low current consumptionPIN DESCRIPTIONhandbook, 2 columns High power gain 3Code: N0 Low noise figure1 base Hig
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History: 2N1701
History: 2N1701
Liste
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