BFS505 Todos los transistores

 

BFS505 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BFS505
   Código: N0
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
   Tensión emisor-base (Veb): 2.5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.018 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 9000 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.4 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: SC70
     - Selección de transistores por parámetros

 

BFS505 Datasheet (PDF)

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BFS505

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBFS505NPN 9 GHz wideband transistorProduct specification September 1995NXP Semiconductors Product specificationNPN 9 GHz wideband transistor BFS505FEATURES PINNING Low current consumptionPIN DESCRIPTION3handbook, 2 columns High power gainCode: N0 Low noise figure1 base High transition frequency2 emitter Gold

 ..2. Size:89K  philips
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BFS505

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFS505NPN 9 GHz wideband transistorSeptember 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationNPN 9 GHz wideband transistor BFS505FEATURES PINNING Low current consumptionPIN DESCRIPTIONhandbook, 2 columns High power gain 3Code: N0 Low noise figure1 base Hig

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