BFU630F Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFU630F  📄📄 

Código: D2*

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 16 V

Tensión colector-emisor (Vce): 5.5 V

Tensión emisor-base (Veb): 2.5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 21000 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 90

Encapsulados: SOT343F

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BFU630F datasheet

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BFU630F

BFU630F NPN wideband silicon RF transistor Rev. 1 15 December 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package. CAUTION This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handling electrostatic sensitive devices

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