3CA684 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3CA684
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 200 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 20 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 50
Encapsulados: TO92L
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3CA684 datasheet
2sa683 3ca683.pdf
2SA683(3CA683) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Purpose AF power amplifier and driver. 2SC1383(3DA1383) /Features Complementary pair with 2SC1383(3DA1383). /Absolute Maximum Ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -30 V CBO V -25 V CEO V -5.0 V EBO I -1.0 A C
2sb688 3ca688.pdf
2SB688(3CA688) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose Designed for use in general-purpose amplifier and switching application. 45-50W 2SD718(3DA718) Features Recommend for 45-50W audio frequency amplifier output stage, Complementary to 2SD718(3DA718). /Absolut
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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