3CA750 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3CA750

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 140 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 30 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: TO92

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3CA750 datasheet

 ..1. Size:412K  foshan
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3CA750

ZTX750(3CA750) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Purpose Medium power amplifier applications. /Features High P and I . C C /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -60 V CBO V -45 V CEO V -5.0 V EBO I -2.0 A

 9.1. Size:208K  lge
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3CA750

3CA753(PNP) TO-251/TO-252-2L Transistor TO-251 1.BASE 2.COLLECTOR 3.EMITTER 1 2 3 Features Power dissipation MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units TO-252-2L VCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collector-Emitter Voltage -30 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -Continuous -2 A PC Collector power dissipation

 9.2. Size:252K  inchange semiconductor
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3CA750

isc Silicon PNP Power Transistor 3CA753 DESCRIPTION Low V CE(sat) Small and slim package 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power dissipation ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage -40 V CBO V Collector-Emitter Voltage -30 V CEO V Emitt

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