PDTA113EM Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PDTA113EM  📄📄 

Código: G4

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 1 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 1 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Capacitancia de salida (Cc): 2 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: SOT883

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PDTA113EM datasheet

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PDTA113EM

PDTA113E series PNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 k , R2 = 1 k Rev. 05 2 September 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP Resistor-Equipped Transistors (RET). Table 1. Product overview Type number Package NPN complement NXP JEITA JEDEC PDTA113EE SOT416 SC-75 - PDTC113EE PDTA113EK SOT346 SC-59A TO-236 PDTC113EK PDTA113EM SOT883 SC-101

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PDTA113E series PNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 k , R2 = 1 k Rev. 05 2 September 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP Resistor-Equipped Transistors (RET). Table 1. Product overview Type number Package NPN complement NXP JEITA JEDEC PDTA113EE SOT416 SC-75 - PDTC113EE PDTA113EK SOT346 SC-59A TO-236 PDTC113EK PDTA113EM SOT883 SC-101

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PDTA113E series PNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 k , R2 = 1 k Rev. 05 2 September 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP Resistor-Equipped Transistors (RET). Table 1. Product overview Type number Package NPN complement NXP JEITA JEDEC PDTA113EE SOT416 SC-75 - PDTC113EE PDTA113EK SOT346 SC-59A TO-236 PDTC113EK PDTA113EM SOT883 SC-101

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