PDTA144ET Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PDTA144ET 📄📄

Código: *07_p07_t07_W07

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 47 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Capacitancia de salida (Cc): 3 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 80

Encapsulados: SOT23

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PDTA144ET datasheet

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DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 PDTA144ET PNP resistor-equipped transistor 1999 Apr 15 Product specification Supersedes data of 1998 May 19 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA144ET FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 47 k each) 3 handbook, 4 columns Simplification of circuit design

..2. Size:55K philips
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DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D102 PDTA144EU PNP resistor-equipped transistor 1999 Apr 15 Product specification Supersedes data of 1998 May 19 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA144EU FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 47 k each) 3 handbook, 4 columns Simplification of circuit design

6.2. Size:58K motorola
pdta144es 2.pdf pdf_icon

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 PDTA144ES PNP resistor-equipped transistor 1998 May 19 Product specification Supersedes data of 1997 Jul 01 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA144ES FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 47 k each) Simplification o