PDTA144WE Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PDTA144WE 📄📄
Código: 5D
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 47 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 22 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 2.1
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 60
Encapsulados: SOT416
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PDTA144WE datasheet
pdta144wu 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D102 PDTA144WU PNP resistor-equipped transistor Product specification 1999 May 25 Supersedes data of 1998 May 19 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA144WU FEATURES PINNING Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 47 k and 22 k PIN DESCRIPTION respectively) 1 base/input
pdta144wu 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D102 PDTA144WU PNP resistor-equipped transistor Product specification 1999 May 25 Supersedes data of 1998 May 19 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA144WU FEATURES PINNING Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 47 k and 22 k PIN DESCRIPTION respectively) 1 base/input
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History: PDTA144VE
🌐 : EN ES РУ
Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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