PDTB123ET Todos los transistores

 

PDTB123ET . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PDTB123ET
   Código: *7S_-7S_p7S_t7S_W7S
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 2.2 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 2.2 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 11 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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PDTB123ET Datasheet (PDF)

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PDTB123ET

PDTB123E seriesPNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors;R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 kRev. 02 16 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General description500 mA PNP Resistor-Equipped Transistors (RET) family.Table 1. Product overviewType number Package NPN complementNXP JEITA JEDECPDTB123EK SOT346 SC-59A TO-236 PDTD123EKPDTB123ES[1] SOT54 SC-43A TO-92

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PDTB123Y seriesPNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors;R1 = 2.2 k, R2 = 10 kRev. 02 16 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General description500 mA PNP Resistor-Equipped Transistors (RET) family.Table 1. Product overviewType number Package NPN complementNXP JEITA JEDECPDTB123YK SOT346 SC-59A TO-236 PDTD123YKPDTB123YS[1] SOT54 SC-43A TO-92

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PDTB123T seriesPNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors;R1 = 2.2 k, R2 = openRev. 03 16 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP Resistor-Equipped Transistors (RET) family.Table 1. Product overviewType number Package NPN complementNXP JEITA JEDECPDTB123TK SOT346 SC-59A TO-236 PDTD123TKPDTB123TS[1] SOT54 SC-43A TO-92 PDTD123TS

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History: KSH5027AF

 

 
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