PDTC114EM Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PDTC114EM 📄📄

Código: DS

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN

Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Capacitancia de salida (Cc): 2.5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: SOT883

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PDTC114EM datasheet

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DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D102 PDTC114EU NPN resistor-equipped transistor 1999 Apr 16 Product specification Supersedes data of 1998 Nov 26 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC114EU FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) 3 handbook, 4 columns Simplification of circuit design

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DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTC114ES NPN resistor-equipped transistor 1998 Nov 26 Product specification Supersedes data of 1998 May 18 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC114ES FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) Simplification of circuit design handbook, halfpage 2 Reduces numbe