PDTC143XT . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PDTC143XT
   Código: -32_p32_t32_W32
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.47

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Capacitancia de salida (Cc): 2.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar PDTC143XT

PDTC143XT Datasheet (PDF)

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DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088PDTC143XTNPN resistor-equipped transistor1999 Apr 20Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC143XTFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 4.7 k and 10 k3handbook, 4 columnsrespectively)3 Simplification of circuit designR11

..2. Size:56K philips
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DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D173PDTC143XENPN resistor-equipped transistorProduct specification 1999 May 21Supersedes data of 1998 May 29Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC143XEFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 4.7 k and 10 krespectively) Simplification of circuit designhandbook, halfpage

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PDTC143X seriesNPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 k, R2 = 10 kRev. 10 16 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN Resistor-Equipped Transistors (RET) family.Table 1. Product overviewType number Package PNP complementNXP JEITA JEDECPDTC143XE SOT416 SC-75 - PDTA143XEPDTC143XEF SOT490 SC-89 - PDTA143XEFPDTC143XK SOT346 SC-5

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