PXTA92 Todos los transistores

 

PXTA92 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PXTA92
   Código: p2D
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 300 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 300 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: SOT89
 

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PXTA92 Datasheet (PDF)

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PXTA92

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETdbook, halfpageM3D109PXTA92PNP high-voltage transistorProduct data sheet 2004 Dec 09Supersedes data of 1999 Apr 29 NXP Semiconductors Product data sheetPNP high-voltage transistor PXTA92FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION High voltage (max. 300 V).1 emitter2 collectorAPPLICATIONS3 base Teleph

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DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D109PXTA92PNP high-voltage transistor1999 Apr 29Product specificationSupersedes data of 1997 Jun 20Philips Semiconductors Product specificationPNP high-voltage transistor PXTA92FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION High voltage (max. 300 V).1 emitter2 collectorAPPLICATIONS3 base

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PXTA92300 V, 100 mA PNP high-voltage transistorRev. 6 27 September 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP high-voltage transistor in a medium power and flat lead SOT89 (SC-62) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PXTA42.1.2 Features and benefits High breakdown voltage AEC-Q101 qualified Medium power and flat

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History: PTB20134

 

 
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