RN49J2AFS Todos los transistores

 

RN49J2AFS . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RN49J2AFS
   Código: X2
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 47 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.05 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: SOT963 FS6
 

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RN49J2AFS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:198K  toshiba
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RN49J2AFS

RN49J2AFS PNP NPN (PCT) () RN49J2AFS : mm 1.00.050.80.05 0.10.050.10.05 1 6 (6)

 8.1. Size:262K  toshiba
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RN49J2AFS

RN49J2CT PNP NPN (PCT) () RN49J2CT : mm 1.00.050.150.03 (CST6)2

 8.2. Size:168K  toshiba
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RN49J2AFS

RN49J2FS TOSHIBA Transistor Silicon NPNPNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN49J2FS Switching Applications Unit: mmInverter Circuit Applications 1.00.05Interface Circuit Applications 0.80.05 0.10.050.10.05Driver Circuit Applications 1 652 Two devices are incorporated into a fine pitch Small Mold (6 pin) package. 4

 9.1. Size:130K  toshiba
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RN49J2AFS

RN49J7FS TOSHIBA Transistor Silicon PNP NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN49J7FS Unit: mmSwitching Applications 1.00.05Inverter Circuit Applications 0.80.05 0.10.050.10.05Interface Circuit Applications 1 6Driver Circuit Applications 5 2 Two devices are incorporated into a fine pitch small mold (6-pin) 43packag

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History: BSJ30 | BD246 | 2SC2242

 

 
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