RN49J7FS Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RN49J7FS

Código: X7

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 47 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.05 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Capacitancia de salida (Cc): 1.2 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 120

Encapsulados: SOT963 FS6

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RN49J7FS datasheet

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RN49J7FS

RN49J7FS TOSHIBA Transistor Silicon PNP NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN49J7FS Unit mm Switching Applications 1.0 0.05 Inverter Circuit Applications 0.8 0.05 0.1 0.05 0.1 0.05 Interface Circuit Applications 1 6 Driver Circuit Applications 5 2 Two devices are incorporated into a fine pitch small mold (6-pin) 4 3 packag

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RN49J7FS

RN49J2CT PNP NPN (PCT ) ( ) RN49J2CT mm 1.0 0.05 0.15 0.03 (CST6) 2

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RN49J7FS

RN49J2FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN49J2FS Switching Applications Unit mm Inverter Circuit Applications 1.0 0.05 Interface Circuit Applications 0.8 0.05 0.1 0.05 0.1 0.05 Driver Circuit Applications 1 6 5 2 Two devices are incorporated into a fine pitch Small Mold (6 pin) package. 4

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RN49J7FS

RN49J2AFS PNP NPN (PCT ) ( ) RN49J2AFS mm 1.0 0.05 0.8 0.05 0.1 0.05 0.1 0.05 1 6 (6 )

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