2SA1933 Todos los transistores

 

2SA1933 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SA1933
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1.8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 60 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 170 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TPL
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SA1933 Datasheet (PDF)

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2SA1933

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2SA1933

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2SA1933

2SA1937 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Triple Diffused Type 2SA1937 High Voltage Switching Applications Unit: mm High voltage: VCEO = -600 V Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -600 VCollector-emitter voltage VCEO -600 VEmitter-base voltage VEBO -7 VDC IC -0.5 Collector current A Pulse ICP -1 Base current IB

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2SA1933

2SA1931 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT PROCESS) 2SA1931 High-Current Switching Applications Unit: mm Low saturation voltage: VCE (sat) = -0.4 V (max) High-speed switching time: tstg = 1.0 s (typ.) Complementary to 2SC4881 Absolute Maximum Ratings (Tc = 25C) Characteristic Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -60 VCollector-emitt

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: BTA1514N3 | 3CD32A | TA2402A | 3DG12 | 2N3440CSM4R | 2SC4006 | RN49J2AFS

 

 
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