2SD2604 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SD2604
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
Tensión colector-base (Vcb): 95 V
Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 2000
Encapsulados: TO220NIS
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2SD2604 datasheet
2sd2607.pdf
2SD2607 Transistors Power Transistor (100V, 8A) 2SD2607 External dimensions (Units mm) Features 1) Darlington connection for high DC current gain. 2) Built-in resistor between base and emitter. 10.0 4.5 3.2 2.8 3) Built-in damper diode. 4) Complements the 2SB1668. 1.2 1.3 0.8 0.75 2.54 2.54 2.6 Absolute maximum ratings (Ta = 25 C) (1) (2) (3) ( ) (1) (2) (3) (1) B
2sd2603.pdf
2SD2603(BR3DD2603F) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220F NPN Silicon NPN transistor in a TO-220F Plastic Package. / Features , High VCEO, low VCE(sat). / Applications Power out amplifier applications. / Equivalent Circuit
Otros transistores... 2SD2462 , 2SD2480 , 2SD2481 , 2SD2525 , 2SD2526 , 2SD2531 , 2SD2536 , 2SD2584 , 2N2907 , 2SD2636 , 2SD2686 , 2SD2695 , 2SD2719 , TPCP8L01 , TTB001 , TTB002 , 2SA673AKC .
History: ZBF579
History: ZBF579
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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