2SA1179N Todos los transistores

 

2SA1179N Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SA1179N

Código: M

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 55 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 180 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 200

Encapsulados: CPA

 Búsqueda de reemplazo de 2SA1179N

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

2SA1179N datasheet

 ..1. Size:35K  sanyo
2sa1179n 2sc2812n.pdf pdf_icon

2SA1179N

Ordering number EN7198A 2SA1179N / 2SC2812N SANYO Semiconductors DATA SHEET PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Low-Frequency General-Purpose 2SA1179N / 2SC2812N Amp Applications Features Miniature package facilitates miniaturization in end products. High breakdown voltage. Specifications ( ) 2SA1179N Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Cond

 ..2. Size:41K  sanyo
2sa1179 2sa1179n.pdf pdf_icon

2SA1179N

No. N7198 2SA1179N / 2SC2812N No. N7198 72602 PNP / NPN 2SA1179N / 2SC2812N 2SA1179N Absolu

 7.1. Size:179K  secos
2sa1179.pdf pdf_icon

2SA1179N

2SA1179 -0.15A , -55V PNP Silicon Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-23 FEATURES High breakdown voltage A L 3 3 Top View C B 1 1 2 MARKING 2 K E Product Marking Code D 2SA1179 M H J F G Millimeter Millimeter PACKAGE INFORMATION REF. REF. Min. Max. Min. Ma

 7.2. Size:620K  jiangsu
2sa1179.pdf pdf_icon

2SA1179N

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-23 2SA1179 TRANSISTOR (PNP) 3 FEATURES 1 . High breakdown voltage 1. BASE 2 2. EMITTER MARKING M 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -55 V VCEO Collector-Emitter Voltage -50 V VEBO Emitter-Base

Otros transistores... 2SD2655 , 2SC4702 , 2SB1691 , HIT468 , HIT667 , HIT562 , HIT647 , 15C01C , 2N2222 , 2SA1768 , 2SA2040 , 2SA2127 , 2SA2186 , 2SA2205 , 2SA2210 , 2SA2222SG , 2SA608N .

History: MCH3145 | BC807S

 

 

 


History: MCH3145 | BC807S

🌐 : EN  ES  РУ

social

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550

 

 

 

Popular searches

d880 transistor | 2sc1845 | p60nf06 | 2sa1837 | ksc1845 transistor | irf630 datasheet | mpsa13 equivalent | c5198

 

 

↑ Back to Top
.