AML2002 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AML2002
Código: L2002
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
Tensión colector-base (Vcb): 220 V
Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
Tensión emisor-base (Veb): 8 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.7 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 120 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 9 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
Paquete / Cubierta: TO126ML
- Selección de transistores por parámetros
AML2002 Datasheet (PDF)
aml2002.pdf

AML2002Ordering number : ENA1837SANYO SemiconductorsDATA SHEETNPN Epitaxial Planar Silicon TransistorAML2002LED Back LightFeatures VCEO=200V, IC=0.7A Low collector-to-emitter saturation voltage VCE(sat)=0.125V(typ.)@IC=0.35A High-speed switching tf=70ns(typ.)@IC=0.3A The plastic-covered heat sink eliminates the need for an insulator when mounting the AML2002S
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: DXT2014P5 | 2SD1579L | BULB742C | DTA023YEB | 2N68-13 | 2N6208 | 2SD1659
History: DXT2014P5 | 2SD1579L | BULB742C | DTA023YEB | 2N68-13 | 2N6208 | 2SD1659



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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