QST4 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: QST4
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 15 V
Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 280 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 270
Encapsulados: TSMT6
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QST4 datasheet
qst4.pdf
QST4 Transistors Low frequency amplifier QST4 External dimensions (Unit mm) Application Low frequency amplifier 2.8 Driver 1.6 Features 1) A collector current is large. 2) VCE(sat) max. -250mV At IC=-1.5A / IB=-30mA Each lead has same dimensions ROHM TSMT6 Abbreviated symbol T04 QST4 Equivalent circuit Absolute maximum ratings (Ta=25 C) Parameter S
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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