QSX1 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: QSX1
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 15 V
Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 250 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 80 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 270
Encapsulados: TSMT6
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QSX1 datasheet
qsx1.pdf
QSX1 Transistors General purpose amplification (15V, 6A) QSX1 External dimensions (Unit mm) Application Low frequency amplifier 2.8 1.6 Features 1) Collector current is large. 2) Collector saturation voltage is low. VCE(sat) 200mV at IC = 3A / IB = 60mA ROHM TSMT6 Each lead has same dimensions Abbreviated symbol X01 Equivalent Circuit Absolute maximum ra
Otros transistores... 2SD2704K, 2SD2707, QST2, QST3, QST4, QST5, QST6, QST7, 9014, QSX2, QSX3, QSX4, QSX5, QSX6, US6T4, US6T5, US6T6
History: 2N485 | SN271
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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