DTB743ZE Todos los transistores

 

DTB743ZE . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DTB743ZE
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 20 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 260 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 140
   Paquete / Cubierta: EMT3
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

DTB743ZE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:962K  rohm
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DTB743ZE

200mA / 30V Low VCE (sat) Digital transistors (with built-in resistors) DTB743ZE / DTB743ZM Applications Dimensions (Unit : mm) Inverter, Interface, Driver DTB743ZE1.6 0.70.550.3( )3Feature ( ) ( )2 11) VCE(sat) is lower than conventional products. 0.2 0.20.15(1) GND0.5 0.52) Built-in bias resistors enable the configuration of (2) IN1.0

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 dtb743e dtb743ee.pdf pdf_icon

DTB743ZE

-200mA / -30V Low VCE (sat) Digital transistors (with built-in resistors) DTB743EE / DTB743EM Applications Dimensions (Unit : mm) Inverter, Interface, Driver DTB743EE1.6 0.70.550.3 Feature ( )31. VCE (sat) is lower than the conventional products. 2. Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit ( ) ( )2 1 without connecting external i

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DTB743ZE

DTB743XE / DTB743XM Transistors -200mA / -30V Low VCE (sat) Digital transistors (with built-in resistors) DTB743XE / DTB743XM Applications Dimensions (Unit : mm) Inverter, Interface, Driver DTB743XE1.6 0.70.3 0.55 Feature ( )31) VCE(sat) is lower than the conventional products. ( ) ( )2 10.2 0.22) Built-in bias resistors enable the configuration of an 0.15

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