2N1179 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N1179
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.08 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 60 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
Paquete / Cubierta: TO45
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2N1179 Datasheet (PDF)
Otros transistores... 2N1175 , 2N1175A , 2N1175B , 2N1176 , 2N1176A , 2N1176B , 2N1177 , 2N1178 , BC337 , 2N118 , 2N1180 , 2N1182 , 2N1183 , 2N1183A , 2N1183B , 2N1184 , 2N1184A .
Liste
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BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050