DTD543XE Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DTD543XE
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.47
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
Tensión emisor-base (Veb): 12 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 260 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 140
Encapsulados: EMT3
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DTD543XE datasheet
dtd543xe.pdf
DTD543XE / DTD543XM Transistors 500mA / 12V Low VCE (sat) Digital transistors (with built-in resistors) DTD543XE / DTD543XM Applications Dimensions (Unit mm) Inverter, Interface, Driver DTD543XE 1.6 0.7 0.55 0.3 Feature ( ) 3 1) VCE (sat) is lower than conventional products. 2) Built-in bias resistors enable the configuration of an ( ) ( ) 2 1 0.2 0.2 inverter ci
dtd543ze.pdf
DTD543ZE / DTD543ZM Transistors 500mA / 12V Low VCE (sat) Digital transistors (with built-in resistors) DTD543ZE / DTD543ZM Applications Dimensions (Unit mm) Inverter, Interface, Driver DTD543ZE 1.6 0.7 0.3 0.55 Feature (3) 1) VCE (sat) is lower than conventional products. ( ) (1) 2 2) Built-in bias resistors enable the configuration of an 0.2 0.2 0.15 (1) GND
dtd543ee.pdf
Low VCE (sat) Digital transistors (with built-in resistors) DTD543EE / DTD543EM Applications Dimensions (Unit mm) Inverter, Interface, Driver DTD543EE 1.6 0.7 0.55 0.3 ( ) 3 Structure NPN digital transistor (Built-in resistor type) ( ) ( ) 2 1 0.2 0.2 0.15 (1) GND 0.5 0.5 (2) IN 1.0 EMT3 (3) OUT JEITA No. (SC-75A) Feature JEDEC No. Each lead ha
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History: DTD543ZE
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