DTD543XE Todos los transistores

 

DTD543XE . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DTD543XE
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.47

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
   Tensión emisor-base (Veb): 12 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 260 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 140
   Paquete / Cubierta: EMT3
 

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DTD543XE Datasheet (PDF)

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DTD543XE

DTD543XE / DTD543XM Transistors 500mA / 12V Low VCE (sat) Digital transistors (with built-in resistors) DTD543XE / DTD543XM Applications Dimensions (Unit : mm) Inverter, Interface, Driver DTD543XE1.6 0.70.550.3 Feature ( )31) VCE (sat) is lower than conventional products. 2) Built-in bias resistors enable the configuration of an ( ) ( )2 10.2 0.2inverter ci

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DTD543XE

DTD543ZE / DTD543ZM Transistors 500mA / 12V Low VCE (sat) Digital transistors (with built-in resistors) DTD543ZE / DTD543ZM Applications Dimensions (Unit : mm) Inverter, Interface, Driver DTD543ZE1.6 0.70.3 0.55 Feature (3)1) VCE (sat) is lower than conventional products. ( ) (1)22) Built-in bias resistors enable the configuration of an 0.2 0.20.15(1) GND

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DTD543XE

Low VCE (sat) Digital transistors (with built-in resistors) DTD543EE / DTD543EM Applications Dimensions (Unit : mm) Inverter, Interface, Driver DTD543EE1.6 0.70.550.3( )3 Structure NPN digital transistor (Built-in resistor type) ( ) ( )2 10.2 0.20.15(1) GND0.5 0.5(2) IN 1.0EMT3(3) OUTJEITA No. (SC-75A) Feature JEDEC No. Each lead ha

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History: 2SB1189P | 2SA118 | 2SB1032 | 40316 | 3DG1809 | H548 | MRF6402

 

 
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