KT8297A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KT8297A

Código: КТ8297А

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

Encapsulados: KT27

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KT8297A datasheet

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KT8297A

n-p-n, 829 Ik max,A 8 Uo (U max)[Ur max],B100 U max,B 100 P max(P max), 60 T max,C 150 h21(h21)[S21 ] 750 U(U),B 3 I(I),A 3 U ,B 2 I(IR), 1500 f(fh21), 4 R -(R -),/ 2.08

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KT8297A

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KT8297A

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor KT829A DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 100V(Min) (BR)CEO High DC Current Gain h = 750(Min) @I = 3A FE C Low Saturation Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use as complementary AF push-pull output stage applications ABSOLUTE

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