3DD301C Todos los transistores

 

3DD301C . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DD301C
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 200 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO3
     - Selección de transistores por parámetros

 

3DD301C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:201K  inchange semiconductor
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3DD301C

isc Silicon NPN Power Transistor 3DD301CDESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 100V(Min)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V = 2.0V(Max) @I = 3ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for B/W TV vertical output applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL

 8.1. Size:178K  crhj
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3DD301C

NPN R 3DD3015 A1 3DD3015 A1 NPN VCEO 450 V IC 1.2 A Ptot Ta=25 0.8 W

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3DD301C

NPN R 3DD3015 A3 3DD3015 A3 NPN VCEO 450 V IC 1.2 A Ptot Tc=25 25 W

 8.3. Size:178K  crhj
 3dd3015 a1.pdf pdf_icon

3DD301C

NPN R 3DD3015 A1 3DD3015 A1 NPN VCEO 450 V IC 1.2 A Ptot Ta=25 0.8 W

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History: KRA721E | 2SC566 | MRF1000MA | CMPT3906 | SK3218 | CMPTA27 | 2SC4009

 

 
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