3DD301C Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3DD301C

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W

Tensión colector-base (Vcb): 200 V

Tensión colector-emisor (Vce): 100 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO3

 Búsqueda de reemplazo de 3DD301C

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

3DD301C datasheet

 ..1. Size:201K  inchange semiconductor
 3dd301c.pdf pdf_icon

3DD301C

isc Silicon NPN Power Transistor 3DD301C DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 100V(Min) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 2.0V(Max) @I = 3A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for B/W TV vertical output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL

 8.1. Size:178K  crhj
 3dd3015a1.pdf pdf_icon

3DD301C

NPN R 3DD3015 A1 3DD3015 A1 NPN VCEO 450 V IC 1.2 A Ptot Ta=25 0.8 W

 8.2. Size:146K  crhj
 3dd3015 a3.pdf pdf_icon

3DD301C

 8.3. Size:178K  crhj
 3dd3015 a1.pdf pdf_icon

3DD301C

NPN R 3DD3015 A1 3DD3015 A1 NPN VCEO 450 V IC 1.2 A Ptot Ta=25 0.8 W

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... 2SD5072, 2SD5075T, 2SD5702, 3CD6D, 3DD200, 3DD201, 3DD207, 3DD301B, 13007, 3DD301D, 3DD303A, 3DD303B, 3DD303C, BU1508AF, BU2506AF, BU2506AX, BU2515DX