2N5899 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N5899
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 57 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 20 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 110 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 0.25 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 100
Encapsulados: TO66
Búsqueda de reemplazo de 2N5899
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
2N5899 datasheet
NO DATA!
Otros transistores... 2N5891 , 2N5892 , 2N5893 , 2N5894 , 2N5895 , 2N5896 , 2N5897 , 2N5898 , BD136 , 2N59 , 2N5900 , 2N5901 , 2N591 , 2N5910 , 2N5913 , 2N5914 , 2N5915 .
History: QST9
History: QST9
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c2878 transistor | 2sc732 | 2sc1451 replacement | 6426 mosfet | b1565 | nce82h140 | 2n2369 equivalent | 2sd313 datasheet