2N591 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N591
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.05 W
Tensión colector-base (Vcb): 32 V
Tensión colector-emisor (Vce): 32 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.02 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 0.2 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
Paquete / Cubierta: TO1
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N591
2N591 Datasheet (PDF)
2n5911 2n5912.pdf
2N5911/5912Vishay SiliconixMatched N-Channel JFET PairsPRODUCT SUMMARYPart Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IG Typ (pA) jVGS1 VGS2j Max (mV)2N5911 1 to 5 25 5 1 102N5912 1 to 5 25 5 1 15FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Two-Chip Design D Minimum Parasitics Ensuring Maximum D Wideband Differential AmpsHigh-Frequency PerformanceD High
2n5910 pn5910 2n5771.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
2n5911 2n5912.pdf
Dual N-Channel JFETHigh Frequency AmplifierCORPORATION2N5911 / 2N5912FEATURES ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T = 25oC unless otherwise specified)A Tight Tracking Low Insertion Loss Gate-Drain or Gate-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . -25V Good Matching Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mAStorage Te
Otros transistores... 2N5895 , 2N5896 , 2N5897 , 2N5898 , 2N5899 , 2N59 , 2N5900 , 2N5901 , BD136 , 2N5910 , 2N5913 , 2N5914 , 2N5915 , 2N591-5 , 2N5916 , 2N5917 , 2N5918 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050