2N5917 Todos los transistores

 

2N5917 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N5917
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 4 W
   Tensión colector-base (Vcb): 55 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 24 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 400 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: MM17
     - Selección de transistores por parámetros

 

2N5917 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:311K  rca
 2n591.pdf pdf_icon

2N5917

 9.2. Size:58K  vishay
 2n5911 2n5912.pdf pdf_icon

2N5917

2N5911/5912Vishay SiliconixMatched N-Channel JFET PairsPRODUCT SUMMARYPart Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IG Typ (pA) jVGS1 VGS2j Max (mV)2N5911 1 to 5 25 5 1 102N5912 1 to 5 25 5 1 15FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Two-Chip Design D Minimum Parasitics Ensuring Maximum D Wideband Differential AmpsHigh-Frequency PerformanceD High

 9.3. Size:65K  central
 2n5910 pn5910 2n5771.pdf pdf_icon

2N5917

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 9.4. Size:24K  calogic
 2n5911 2n5912.pdf pdf_icon

2N5917

Dual N-Channel JFETHigh Frequency AmplifierCORPORATION2N5911 / 2N5912FEATURES ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T = 25oC unless otherwise specified)A Tight Tracking Low Insertion Loss Gate-Drain or Gate-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . -25V Good Matching Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mAStorage Te

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History: 3DG2413K | 2SA1706T-AN | 2SA795A | RT3YB7M | 2SA815 | BC848CW-G

 

 
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