2N5918 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N5918
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.75 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 400 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 13 pF
Encapsulados: TO128
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2N5918 datasheet
2n5911 2n5912.pdf
2N5911/5912 Vishay Siliconix Matched N-Channel JFET Pairs PRODUCT SUMMARY Part Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IG Typ (pA) jVGS1 VGS2j Max (mV) 2N5911 1 to 5 25 5 1 10 2N5912 1 to 5 25 5 1 15 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D Two-Chip Design D Minimum Parasitics Ensuring Maximum D Wideband Differential Amps High-Frequency Performance D High
2n5910 pn5910 2n5771.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824
2n5911 2n5912.pdf
Dual N-Channel JFET High Frequency Amplifier CORPORATION 2N5911 / 2N5912 FEATURES ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25oC unless otherwise specified) A Tight Tracking Low Insertion Loss Gate-Drain or Gate-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . -25V Good Matching Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA Storage Te
Otros transistores... 2N591 , 2N5910 , 2N5913 , 2N5914 , 2N5915 , 2N591-5 , 2N5916 , 2N5917 , 2N3904 , 2N5918A , 2N5919 , 2N5919A , 2N591A , 2N592 , 2N5920 , 2N5921 , 2N5922 .
History: 2SA1290
History: 2SA1290
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Liste
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