PZTA64 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PZTA64

Código: P2V

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 125 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20000

Encapsulados: SOT223

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PZTA64 datasheet

 ..1. Size:127K  fairchild semi
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PZTA64

November 2011 MPSA64 / MMBTA64 / PZTA64 PNP Darlington Transistor Features This device is designed for applications requiring extremely high current gain at currents to 800 mA. Sourced from Process 61. MPSA64 MMBTA64 PZTA64 C C E E C B TO-92 SOT-23 SOT-223 B Mark 2V EBC Absolute Maximum Ratings* Ta = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCES Coll

 0.1. Size:170K  motorola
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PZTA64

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by PZTA64T1/D PZTA64T1 PNP Small Signal Motorola Preferred Device Darlington Transistor This PNP small-signal darlington transistor is designed for use in preamplifiers SOT-223 PACKAGE input applications or wherever it is necessary to have a high input impedance. PNP SILICON The device is housed in the SOT-223 package which i

 9.1. Size:139K  siemens
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PZTA64

PNP Silicon Darlington Transistors PZTA 63 PZTA 64 For general AF applications High collector current High current gain Complementary types PZTA 13, PZTA 14 (NPN) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package1) (tape and reel) 1 2 3 4 PZTA 63 PZTA 63 Q62702-Z2031 B C E C SOT-223 PZTA 64 PZTA 64 Q62702-Z2032 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter v

Otros transistores... PZT3019, PZT32C, PZT5712, PZT649A, PZT9401A, PZT9411A, PZTA06, PZTA56, A1941, SZD1060, SZD1181, SZD1182, SZD1225, SZD1386, SZD1733, SZD2983, SZD31CNPN