WTM772 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WTM772
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
Paquete / Cubierta: SOT-89
- Selección de transistores por parámetros
WTM772 Datasheet (PDF)
wtm772 wtm882.pdf

WTM772WTM882PNP/NPN Epitaxial Planar TransistorsSOT-89121. BASE32. COLLECTOR3. EMITTERWTM772 WTM882ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C)Rating Symbol PNP/WTM772 UnitNPN/WTM882Collector-Emitter Voltage V 30 VdcCEO -30Collector-Base Voltage VCBO -4040 VdcEmitter-Base Voltage VEBO-5.0 6.0 VdcCollector Current (DC) IC(DC)-3.0 3.0 AdcPD WTotal Device Dissip
Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: FE3726 | UNR5210 | 2SC4061 | DTA143EEFRA | 2SC3280O | MJD50T4G | BC487L
History: FE3726 | UNR5210 | 2SC4061 | DTA143EEFRA | 2SC3280O | MJD50T4G | BC487L



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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