WTP772BCE Todos los transistores

 

WTP772BCE . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WTP772BCE
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 55 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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WTP772BCE Datasheet (PDF)

 8.1. Size:364K  wietron
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WTP772BCE

WTP772WTP882PNP/NPN Epitaxial Planar TransistorsTO-251P b Lead(Pb)-Free1. EMITTER2. COLLECTOR3. BASE1 2 3ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C)Rating Symbol PNP/WTP772 UnitNPN/WTP882Collector-Emitter Voltage V 30 VdcCEO -30Collector-Base Voltage VCBO -4040 VdcEmitter-Base Voltage VEBO-5.0 5.0 VdcCollector Current (DC) IC(DC)-3.0 3.0 AdcAdcCollector Current

 8.2. Size:275K  wietron
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WTP772BCE

WTP772WTP882PNP/NPN Epitaxial Planar TransistorsTO-251P b Lead(Pb)-Free1.BASE2.COLLECTOR3.EMITTER1 2 3ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C)Rating Symbol PNP/WTP772 UnitNPN/WTP882Collector-Emitter Voltage V 30 VdcCEO -30Collector-Base Voltage VCBO -4040 VdcEmitter-B ase Voltage VEBO-5.0 5.0 VdcCollector Current (DC) IC(DC)-3.0 3.0 AdcAdcCollector Current (

 8.3. Size:453K  wietron
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WTP772BCE

WTP772PNP Epitaxial Planar TransistorsP b Lead(Pb)-Free1. BASE2. COLLECTOR3. EMITTER1 2 3TO-251ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C)Rating Symbol PNP/WTP772 UnitCollector-Emitter Voltage VCEO -30 VCollector-Base Voltage VCBO-40 VEmitter-B ase Voltage VEBO-5.0 VCollector Current (DC) IC(DC)-3.0 AA-7.0Collector Current (Pulse)1 IC (Pulse)IBB ase Current (

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History: ZXTN10150DZ

 

 
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