WTP772-ECB Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WTP772-ECB
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 80 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 55 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 60
Encapsulados: TO251
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WTP772-ECB datasheet
wtp772-ecb.pdf
WTP772 WTP882 PNP/NPN Epitaxial Planar Transistors TO-251 P b Lead(Pb)-Free 1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE 1 2 3 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C) Rating Symbol PNP/WTP772 Unit NPN/WTP882 Collector-Emitter Voltage V 30 Vdc CEO -30 Collector-Base Voltage VCBO -40 40 Vdc Emitter-Base Voltage VEBO -5.0 5.0 Vdc Collector Current (DC) IC(DC) -3.0 3.0 Adc Adc Collector Current
wtp772-bce.pdf
WTP772 PNP Epitaxial Planar Transistors P b Lead(Pb)-Free 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 1 2 3 TO-251 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C) Rating Symbol PNP/WTP772 Unit Collector-Emitter Voltage V CEO -30 V Collector-Base Voltage VCBO -40 V Emitter-B ase Voltage VEBO -5.0 V Collector Current (DC) IC(DC) -3.0 A A -7.0 Collector Current (Pulse)1 IC (Pulse) IB B ase Current (
wtp772 wtp882.pdf
WTP772 WTP882 PNP/NPN Epitaxial Planar Transistors TO-251 P b Lead(Pb)-Free 1.BASE 2.COLLECTOR 3.EMITTER 1 2 3 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C) Rating Symbol PNP/WTP772 Unit NPN/WTP882 Collector-Emitter Voltage V 30 Vdc CEO -30 Collector-Base Voltage VCBO -40 40 Vdc Emitter-B ase Voltage VEBO -5.0 5.0 Vdc Collector Current (DC) IC(DC) -3.0 3.0 Adc Adc Collector Current (
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History: 2N5096 | 2SB121 | 2SA1335 | BDX63 | BD363B | 2N6260
History: 2N5096 | 2SB121 | 2SA1335 | BDX63 | BD363B | 2N6260
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Liste
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