2N5943 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N5943
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 3 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 1200 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 2.5 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
Paquete / Cubierta: TO39
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2N5943 Datasheet (PDF)
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2n5949 2n5950 2n5951 2n5952 2n5953.pdf
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2N5945 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI 2N5945 is Designed for FM Land Mobile Applications in the PACKAGE STYLE .280 4L STUD 400 to 960 MHz. A 45FEATURES:C Common Emitter B E E PG = 9.0 dB at 2.0 W/470 MHz B Omnigold Metalization System C D JE IMAXIMUM RATINGS FGIC 0.8 A H#8-32 UNCKVCBO 36 V MINIMUM
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