2N5943 Todos los transistores

 

2N5943 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N5943

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 3 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 1200 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 2.5 pF

Ganancia de corriente contínua (hfe): 25

Empaquetado / Estuche: TO39

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2N5943 Datasheet (PDF)

5.1. 2n5949 2n5950 2n5951 2n5952 2n5953.pdf Size:71K _central

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145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824

5.2. 2n5945.pdf Size:13K _advanced-semi

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2N5945 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI 2N5945 is Designed for FM Land Mobile Applications in the PACKAGE STYLE .280 4L STUD 400 to 960 MHz. A 45° FEATURES: C • Common Emitter B E E • PG = 9.0 dB at 2.0 W/470 MHz B • Omnigold™ Metalization System C D J E I MAXIMUM RATINGS F G IC 0.8 A H #8-32 UNC K VCBO 36 V MINIMUM

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: 3DD13005MD-O-Z-N-C | 3DD13005MD-O-HF-N-B | ST2310DHI | ST2310HI | LM4158D | HLD128D | 9015M-D | 9015M-C | 9015M-B | 9014M-D | 9014M-C | 9014M-B | 2T837E | 2T837D | 2T837G | 2T837V | 2T837B | SS8550-J | SS8550-H | SS8550-L |

 

 

 
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