KTA1242L Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KTA1242L  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 35 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 8 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 170 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 62 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: IPAK

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KTA1242L datasheet

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KTA1242L

SEMICONDUCTOR KTA1242D/L TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR STROBO FLASH APPLICATION. HIGH CURRENT APPLICATION. A I C J FEATURES DIM MILLIMETERS hFE=100 320 (VCE=-2V, IC=-0.5A). _ A 6.60 + 0.2 _ B 6.10 + 0.2 Low Collector Saturation Voltage. _ C 5.0 + 0.2 _ D 1.10 + 0.2 VCE(sat)=-0.5V (IC=-3A, IB=-75mA). _ E 2.70 + 0.2 _ F 2.30 + 0.1 H 1.00 MAX _ I 2.3

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KTA1242L

SEMICONDUCTOR KTA1241 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR STROBO FLASH APPLICATION. HIGH CURRENT APPLICATION. B D FEATURES hFE=100 320 (VCE=-2V, IC=-0.5A). DIM MILLIMETERS P hFE=70(Min.) (VCE=-2V, IC=-4A). DEPTH 0.2 A 7.20 MAX Low Collector Saturation Voltage. B 5.20 MAX C C 0.60 MAX S VCE(sat)=-0.5V (IC=-3A, IB=-75mA). D 2.50 MAX Q E 1.15 MAX K High Power Dis

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KTA1242L

SEMICONDUCTOR KTA1243 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR STROBO FLASH APPLICATION. HIGH CURRENT APPLICATION. B C FEATURES hFE=100 320 (VCE=-2V, IC=-0.5A). hFE=70(Min.) (VCE=-2V, IC=-4A). N DIM MILLIMETERS Low Collector Saturation Voltage. A 4.70 MAX E K B 4.80 MAX VCE(sat)=-0.5V (IC=-3A, IB=-75mA). G C 3.70 MAX D D 0.45 E 1.00 F 1.27 G 0.85 H 0.45 _ MA

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