KTA1385L . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KTA1385L
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 15 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 160
Paquete / Cubierta: IPAK
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar KTA1385L
KTA1385L Datasheet (PDF)
kta1385d l.pdf
SEMICONDUCTOR KTA1385D/LTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORLOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGELARGE CURRENT AI C JFEATURES DIM MILLIMETERS_A 6.60 + 0.2High Power Dissipation : PC=1.3W(Ta=25 )_B 6.10 + 0.2_C 5.0 + 0.2Complementary to KTC5103D/L_D 1.10 + 0.2_E 2.70 + 0.2_F 2.30 + 0.1H 1.00 MAX_I 2.30 + 0.2_J 0.5 + 0.1_H K 2.00 +
kta1381.pdf
SEMICONDUCTOR KTA1381TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORHIGH-DEFINITION CRT DISPLAY,ABVIDEO OUTPUT APPLICATIONS.DCEFEATURES FHigh breakdown voltage : VCEO 300V.Small reverse transfer capacitance and Gexcellent high frequency characteristic. H: Cre=2.3pF (VCB=30V, f=1MHz)DIM MILLIMETERSJA 8.3 MAXComplementary KTC3503. KB 5.8LC 0.7_+
kta1360.pdf
SEMICONDUCTOR KTA1360TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORAUDIO FREQUENCY AMPLIFIER APPLICATION.ABDCEFEATURES FHigh Voltage : VCEO=-150V.Low Output Capacitance : Cob=5.0pF(Max.).GHigh Transition Frequency : fT=120MHz(Typ.)HComplementary to KTC3423.DIM MILLIMETERSJA 8.3 MAXKB 5.8LC 0.7_+D 3.2 0.1E 3.5_+F 11.0 0.3MAXIMUM RATIN
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