2N5967 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2N5967
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 125 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 30 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 10 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 875 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO61

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N5967

2N5967 Datasheet (PDF)

9.1. Size:295K fairchild semi
2n5961.pdf

Discrete POWER & SignalTechnologies2N5961C TO-92BENPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as low noise, high gain, generalpurpose amplifiers requiring collector currents to 50 mA. Sourcedfrom Process 07. See 2N5088 for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Val60ue UnitsVCEO Collector-Emitter Volta

9.2. Size:469K fairchild semi
2n5962 mmbt5962.pdf

Discrete POWER & SignalTechnologies2N5962 MMBT5962CEC TO-92BBE SOT-23Mark: 117NPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as low noise, high gain, generalpurpose amplifiers requiring collector currents to 50 mA.Sourced from Process 07. See 2N5088 for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value U

9.3. Size:62K central
2n5961 2n5962 2n5963.pdf