KTC3003HV . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KTC3003HV
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 1.1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 900 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 530 V
   Tensión emisor-base (Veb): 9 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 21 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO92

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar KTC3003HV

KTC3003HV Datasheet (PDF)

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ktc3003hv.pdf

SEMICONDUCTOR KTC3003HVTECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTORSWITCHING REGULATOR APPLICATION.HIGH VOLTAGE AND HIGH SPEED B CSWITCHING APPLICATION.FEATURESExcellent Switching TimesN DIM MILLIMETERS: ton=1.1 S(Typ.), tf=0.7 S(Typ.), at IC=1AA 4.70 MAXEKB 4.80 MAXHigh Collector Voltage : VCBO=900V. GC 3.70 MAXDD 0.45E 1.00F 1.27G 0.85H 0.45_MAXI

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ktc3003.pdf

SEMICONDUCTOR KTC3003TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTORSWITCHING REGULATOR APPLICATION.HIGH VOLTAGE AND HIGH SPEED B CSWITCHING APPLICATION.FEATURESExcellent Switching TimesN DIM MILLIMETERS: ton=1.1 S(Max.), tf=0.7 S(Max.), at IC=1AA 4.70 MAXEKB 4.80 MAXHigh Collector Voltage : VCBO=700V. GC 3.70 MAXDD 0.45E 1.00F 1.27G 0.85H 0.45_MAXIMU

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ktc3072d l.pdf

SEMICONDUCTOR KTC3072D/LTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORHIGH CURRENT APPLICATIONCAMERA STROBO (For Electronic Flash Unit)AI C JFEATURESDIM MILLIMETERSLow Saturation Voltage : VCE(sat) = 0.4V(Max)(Ic=3A) _A 6.60 + 0.2_B 6.10 + 0.2High Performance at Low Supply Voltage. _C 5.0 + 0.2_D 1.10 + 0.2_E 2.70 + 0.2_F 2.30 + 0.1H 1.00 MAX_I 2.

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ktc303a 2tc303a.pdf