KTC9014S Todos los transistores

 

KTC9014S . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KTC9014S
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 60 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT23

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KTC9014S Datasheet (PDF)

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KTC9014S

SEMICONDUCTOR KTC9014S TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. E L B L FEATURES DIM MILLIMETERS _ + A 2.93 0.20 Excellent hFE Linearity B 1.30+0.20/-0.15 hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.). C 1.30 MAX 2 3 D 0.40+0.15/-0.05 Low Noise NF=1dB(Typ.) at f=1kHz. E 2.40+0.30/-0.20 1 G 1.90 Complementary to KTC9

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KTC9014S

SEMICONDUCTOR KTC9014SC TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. FEATURES Excellent hFE Linearity hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.). Complementary to KTC9015SC. MAXIMUM RATING (Ta=25 ) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT VCBO Collector-Base Voltage 80 V VCEO Collector-Emitter Voltage 50 V VEBO Emitter-Base Voltag

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KTC9014S

SEMICONDUCTOR KTC9014A TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. B C FEATURES Excellent hFE Linearity hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.). N DIM MILLIMETERS Low Noise NF=1dB(Typ.) at f=1kHz. A 4.70 MAX E K B 4.80 MAX Complementary to KTC9015A. G C 3.70 MAX D D 0.45 E 1.00 F 1.27 G 0.85 H 0.45 _ MAXIMUM RA

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History: AC241

 

 
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