KTC9014S Todos los transistores

 

KTC9014S . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KTC9014S
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 60 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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KTC9014S Datasheet (PDF)

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KTC9014S

SEMICONDUCTOR KTC9014STECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION.EL B LFEATURESDIM MILLIMETERS_+A 2.93 0.20Excellent hFE LinearityB 1.30+0.20/-0.15: hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.).C 1.30 MAX23 D 0.40+0.15/-0.05Low Noise :NF=1dB(Typ.) at f=1kHz.E 2.40+0.30/-0.201G 1.90Complementary to KTC9

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KTC9014S

SEMICONDUCTOR KTC9014SCTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION.FEATURESExcellent hFE Linearity: hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.).Complementary to KTC9015SC.MAXIMUM RATING (Ta=25)CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITVCBOCollector-Base Voltage 80 VVCEOCollector-Emitter Voltage 50 VVEBOEmitter-Base Voltag

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KTC9014S

SEMICONDUCTOR KTC9014ATECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION.B CFEATURESExcellent hFE Linearity: hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.).N DIM MILLIMETERSLow Noise :NF=1dB(Typ.) at f=1kHz.A 4.70 MAXEKB 4.80 MAXComplementary to KTC9015A. GC 3.70 MAXDD 0.45E 1.00F 1.27G 0.85H 0.45_MAXIMUM RA

 7.2. Size:113K  kec
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