KTN2369AU Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KTN2369AU

Código: ZK

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 15 V

Tensión emisor-base (Veb): 4.5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 500 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: USM

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KTN2369AU datasheet

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KTN2369AU

SEMICONDUCTOR KTN2369U/AU TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION. E FEATURES M B M DIM MILLIMETERS High Frequency Characteristics. _ A + 2.00 0.20 D 2 _ + B 1.25 0.15 fT=500MHz (Min.) (VCE=10V, f=100MHz, IC=10mA). _ + C 0.90 0.10 3 1 Excellent Switching Characteristics. D 0.3+0.10/-0.05 _ E + 2.10 0.20 G 0.65 H 0.15+0.1/

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KTN2369AU

SEMICONDUCTOR KTN2369/A TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION. B C FEATURES High Frequency Characteristics fT=500MHz (Min.) (VCE=10V, f=100MHz, IC=10mA). Excellent Switching Characteristics. N DIM MILLIMETERS KTN2369/2369A Electrically Similar to 2N2369/2369A. A 4.70 MAX E K B 4.80 MAX G C 3.70 MAX D D 0.45 E 1.00 MAXIMUM RA

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KTN2369AU

SEMICONDUCTOR KTN2369S/AS TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION. E L B L FEATURES DIM MILLIMETERS _ + 2.93 0.20 Excellent High Frequency Characteristics. A B 1.30+0.20/-0.15 Excellent Switching Characteristics. C 1.30 MAX 2 3 D 0.45+0.15/-0.05 E 2.40+0.30/-0.20 1 G 1.90 H 0.95 J 0.13+0.10/-0.05 K 0.00 0.10 L 0.55 P P M 0.2

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