KTX711T Todos los transistores

 

KTX711T . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KTX711T
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TS6
 

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KTX711T Datasheet (PDF)

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KTX711T

SEMICONDUCTORKTX711TEPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORTECHNICAL DATASILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE DIODETV Control board Application EK B KFEATURESDIM MILLIMETERS_One PNP Transistor (Q1)A 2.9 + 0.216B 1.6+0.2/-0.1Two Switching Diode (D1, D2)_C 0.70 + 0.052 5_+D 0.4 0.1Low Saturation VoltageE 2.8+0.2/-0.3: VCE(sat) = -0.25V(Max)@ IC = -100mA, IB

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History: CS1251F | TIP625

 

 
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